VASP计算能带必须设置的参数¶
使用VASP计算能带结构时,需要正确设置以下关键参数:
必须设置的参数:¶
INCAR文件参数:
IBRION = -1
:静态计算,不进行离子弛豫ISMEAR = 0
:Gaussian展宽(也可根据体系设为-5,即Tetrahedron方法)SIGMA = 0.05
:展宽参数LORBIT = 11
(或10):输出投影的态密度LWAVE = .TRUE.
:保存波函数,可用于后续计算ICHARG = 11
:从CHGCAR读取电荷密度NEDOS
:能量网格点数量,建议设为较大值(如2000)以获得平滑的DOS
KPOINTS文件:
能带计算需要两个KPOINTS文件:
第一步自洽计算(SCF):使用Monkhorst-Pack网格
第二步能带计算:沿高对称点路径设置密集的K点
高对称路径设置:
根据晶格类型选择合适的高对称点路径
K点数量应足够密集(每个路径段通常20-50个点)
完整的能带计算流程:¶
几何优化:
优化晶体结构直到力收敛
自洽计算(SCF):
设置均匀的K点网格
设置
ICHARG = 2
(从POSCAR重新计算电荷)保存CHGCAR文件
非自洽能带计算(non-SCF):
使用高对称点K路径
设置
ICHARG = 11
(从CHGCAR读取电荷)保持与SCF相同的其他参数
后处理:
使用VASPKIT、pymatgen或其他工具处理EIGENVAL、DOSCAR等文件
可使用
vasprun.xml
文件获取更详细的能带信息
实例INCAR(能带计算):¶
SYSTEM = Band structure calculation
ISTART = 1 # 从WAVECAR继续
ICHARG = 11 # 从CHGCAR读取电荷密度
ENCUT = 500 # 截断能
EDIFF = 1E-6 # 电子步收敛标准
ISMEAR = 0 # Gaussian展宽
SIGMA = 0.05 # 展宽参数
IBRION = -1 # 静态计算
NSW = 0 # 不进行离子弛豫
LORBIT = 11 # 输出投影态密度
LWAVE = .TRUE. # 保存波函数
NEDOS = 2000 # DOS能量点数目
注意事项:¶
对于金属体系,建议使用
ISMEAR = 1
和较大的SIGMA
值对于磁性体系,需设置
ISPIN = 2
对于过渡金属和强关联体系,可能需要+U校正(设置
LDAU = .TRUE.
等参数)对于SOC计算,需设置
LSORBIT = .TRUE.
对于2D材料,在z方向添加足够大的真空层
正确设置这些参数将确保您的VASP能带计算结果准确可靠。