VASP计算能带必须设置的参数

使用VASP计算能带结构时,需要正确设置以下关键参数:

必须设置的参数:

  1. INCAR文件参数

    • IBRION = -1:静态计算,不进行离子弛豫

    • ISMEAR = 0:Gaussian展宽(也可根据体系设为-5,即Tetrahedron方法)

    • SIGMA = 0.05:展宽参数

    • LORBIT = 11(或10):输出投影的态密度

    • LWAVE = .TRUE.:保存波函数,可用于后续计算

    • ICHARG = 11:从CHGCAR读取电荷密度

    • NEDOS:能量网格点数量,建议设为较大值(如2000)以获得平滑的DOS

  2. KPOINTS文件

    • 能带计算需要两个KPOINTS文件:

      1. 第一步自洽计算(SCF):使用Monkhorst-Pack网格

      2. 第二步能带计算:沿高对称点路径设置密集的K点

  3. 高对称路径设置

    • 根据晶格类型选择合适的高对称点路径

    • K点数量应足够密集(每个路径段通常20-50个点)

完整的能带计算流程:

  1. 几何优化

    • 优化晶体结构直到力收敛

  2. 自洽计算(SCF)

    • 设置均匀的K点网格

    • 设置 ICHARG = 2(从POSCAR重新计算电荷)

    • 保存CHGCAR文件

  3. 非自洽能带计算(non-SCF)

    • 使用高对称点K路径

    • 设置 ICHARG = 11(从CHGCAR读取电荷)

    • 保持与SCF相同的其他参数

  4. 后处理

    • 使用VASPKIT、pymatgen或其他工具处理EIGENVAL、DOSCAR等文件

    • 可使用 vasprun.xml文件获取更详细的能带信息

实例INCAR(能带计算):

SYSTEM = Band structure calculation
ISTART = 1        # 从WAVECAR继续
ICHARG = 11       # 从CHGCAR读取电荷密度
ENCUT = 500       # 截断能
EDIFF = 1E-6      # 电子步收敛标准
ISMEAR = 0        # Gaussian展宽
SIGMA = 0.05      # 展宽参数
IBRION = -1       # 静态计算
NSW = 0           # 不进行离子弛豫
LORBIT = 11       # 输出投影态密度
LWAVE = .TRUE.    # 保存波函数
NEDOS = 2000      # DOS能量点数目

注意事项:

  1. 对于金属体系,建议使用 ISMEAR = 1和较大的 SIGMA

  2. 对于磁性体系,需设置 ISPIN = 2

  3. 对于过渡金属和强关联体系,可能需要+U校正(设置 LDAU = .TRUE.等参数)

  4. 对于SOC计算,需设置 LSORBIT = .TRUE.

  5. 对于2D材料,在z方向添加足够大的真空层

正确设置这些参数将确保您的VASP能带计算结果准确可靠。